偏壓的解釋及造句

　　偏壓拼音

　　【注音】： pian ya

　　偏壓解釋

　　【意思】：在晶體三極管基極和發(fā)射極之間加上的直流電壓。

　　偏壓造句

　　偏壓造句：

　　1、脈沖的電壓，寬度，預(yù)設(shè)直流偏壓和偏置時間可以由用戶設(shè)定。

　　2、在本文中，筆者對偏壓連拱隧道的施工技術(shù)進行了分析和研究。

　　3、在微波等離子體化學氣相沉積裝置中，研究了負偏壓形核對金剛石薄膜與WC6%硬質(zhì)合金刀具附著力的影響。

　　4、介紹的新型CUK型變換器，旨在實現(xiàn)一種高效、低成本、輸出電壓紋波極低的負偏壓設(shè)計方案。

　　5、用戶可以設(shè)定測量信號的直流偏壓，測量振幅，脈沖寬度。

　　6、一個測試系統(tǒng)中的主要部分可能包括直流偏壓、直流測量、RF功率計、網(wǎng)絡(luò)分析儀、RF源，以及其它儀器。

　　7、還就反向偏壓以及CMOS工藝中介質(zhì)與鈍化層等因素對探測器響應(yīng)度的影響進行了討論。

　　8、實驗結(jié)果表明這種射頻基片偏壓振蕩現(xiàn)象與等離子體放電參數(shù)以及調(diào)諧電路參數(shù)等多種因素密切相聯(lián)系。

　　9、當利用這一配置測量漏流時，通過每個繼電器的常閉觸點同時向所有的二極管施加偏壓。

　　10、并在此基礎(chǔ)上，詳細討論了表面聲波的.頻率和功率，以及門電壓和源漏偏壓對聲電電流的影響。

　　11、橋式超導故障限流器，它由超導磁體、二極管橋路和直流偏壓源組成。

　　12、注意到這并不比固定偏壓的例子復雜。

　　13、等離子體浸沒離子注入是一種新形式的離子注入技術(shù)，是利用負偏壓工件周圍形成的等離子體鞘層進行離子加速、進而獲得離子注入。

　　14、最后一階段我們對前翼進行了一點調(diào)整，包括剎車偏壓，還降低了一些胎壓，使得情況稍有好轉(zhuǎn)。

　　15、當供應(yīng)電壓小于限制電壓時，偏壓電流將增加，并決定切換周期的最大截止時間。

　　16、對利用熱燈絲CVD沉積金剛石膜時負襯底偏壓增強金剛石的核化過程進行了分析。

　　17、本文對熱燈絲CVD沉積金剛石膜的核化過程進行了分析，從理論上研究了負襯底偏壓增強活性離子的流量。

　　18、假如隧道在較長范圍內(nèi)沿著黃土沖溝走向或者與黃土塬邊平行走向，而覆蓋層又較薄或偏壓很大，就會輕易發(fā)生較大的坍塌或滑坡現(xiàn)象。

　　19、指出從偏壓隧道實際工程中總結(jié)其彈性抗力分布規(guī)律是假定抗力法付諸應(yīng)用的一個簡單有效的方法。

　　20、研究了基片分支串聯(lián)電阻對基片自偏壓的影響，發(fā)現(xiàn)了在電阻值區(qū)自偏壓自振蕩現(xiàn)象；

　　21、采用有限差分軟件，對淺埋偏壓單線鐵路隧道和四車道公路隧道進行數(shù)值模擬。

　　22、當正向偏壓足夠高時，擴散電容很容易超過空間電荷壓電容。

　　23、分析了不同偏壓條件下聲光強度調(diào)制的波形失真。

　　24、一種脈沖負偏壓電源是由多個脈沖分量形成的電路串聯(lián)構(gòu)成，脈沖的頻率和占空比直接在高壓側(cè)調(diào)節(jié)。

　　25、利用納米硬度計研究了薄膜沉積過程中基體負偏壓對薄膜硬度和彈性的影響。

　　26、它已用于HL-1的各種物理實驗，諸如偏壓電極放電的實驗，微波加熱實驗，彈丸注入的實驗等。

　　27、藍光強度與黃光強度的比值隨著反向偏壓的增加而增加。

　　28、晶界電阻隨直流偏壓變化的關(guān)系也為IBLC提供了間接的證據(jù)。

　　29、且隨著基片偏壓值的增大，電子能量有緩慢的增加，而電子密度則顯著下降。

　　30、提出了基于有限單元法求解偏壓隧道襯砌結(jié)構(gòu)可靠度的方法，開發(fā)了實用計算機程序，并給出實際算例。

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